WWW.OS.X-PDF.RU
БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Научные публикации
 

Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |

«ТЕХНОЛОГИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ МОДУЛЕЙ БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО И МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ...»

-- [ Страница 1 ] --

Федеральное государственное автономное

образовательное учреждение высшего образования

«Санкт-Петербургский государственный электротехнический

университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

На правах рукописи

Семенов Александр Вячеславович

ТЕХНОЛОГИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ МОДУЛЕЙ

БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ НА ОСНОВЕ АМОРФНОГО И

МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

Специальность 05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

ДИССЕРТАЦИЯ

на соискание ученой степени кандидата технических наук

Научный руководитель - д.т.н., проф. Афанасьев В.П.

Санкт-Петербург

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………………………. 4 ГЛАВА 1. ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГЕТИКА…………… 10

1.1 Кремниевые тонкопленочные фотоэлектрические преобразователи....... 13

1.2 Технология изготовления двухкаскадных тонкопленочных солнечных модулей на основе аморфного и микрокристаллического кремния размером 1100х1300 мм……………………………………………………. 18

1.3 Технология получения аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллическими включениями; полиморфный и протокристаллический кремний…………………………………………... 28



1.4 Влияние технологических параметров на свойства материалов и параметры двухкаскадных фотоэлектрических преобразователей на основе аморфного и микрокристаллического кремния …………………. 39 Выводы по первой главе………………………………………………………… 54

ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ НЕЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК

АМОРФНОГО ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ С

НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ С УЛУЧШЕННОЙ

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ И СТАБИЛЬНОСТЬЮ………………........ 55

2.1 Плазмохимическое осаждение из газовой фазы пленок кремния на установке KAI………………………………………………………………. 55

2.2 Методы исследования тонких пленок кремния и структур на их основе……………………………………………………………………….. 60

2.3 Исследование нелегированного слоя аморфного кремния первого каскада двухкаскадного тонкопленочного солнечного модуля………… 63

2.4 Разработка технологии и исследование пленок аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллическими включениями 69 Выводы по второй главе………………………………………………………… 83

ГЛАВА 3. ФОРМИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКИХ

НЕЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК МИКРОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО

ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯ……………………………………. 85

3.1 Условия формирования и методы исследования тонких пленок микрокрис

–  –  –

Актуальность темы исследований. На сегодняшний день фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии является одним из самых перспективных направлений возобновляемой энергетики в мире. В Российской Федерации планируется до 2020 года ввести в строй солнечные электростанции суммарной мощностью 1,5 ГВт. Уже сегодня в эксплуатацию запущен завод по производству тонкопленочных солнечных модулей (ТСМ) большой площади мощностью 90 МВт/год в г. Новочебоксарске. Однако для того, чтобы оставаться конкурентоспособным на рынке фотовольтаики, необходимо постоянное совершенствование характеристик фотопреобразующих устройств, как тонкопленочных солнечных элементов (ТСЭ), так и модулей на их основе.

Тонкопленочные солнечные элементы на основе пленок аморфного и микрокристаллического гидрогенизированного кремния, в отличие от классических кремниевых солнечных элементов, обладают значительными преимуществами, обусловленными использованием низкотемпературных процессов, большой площадью ТСМ и малым расходом материала. Однако у ТСМ существуют и недостатки, в первую очередь связанные с относительно низкой эффективностью и наличием деградации параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) в процессе эксплуатации.

Целью работы является повышение эффективности и стабильности тонкопленочных солнечных модулей большой площади за счет совершенствования технологии плазмохимического осаждения тонких нелегированных пленок аморфного и микрокристаллического гидрогенизированного кремния и исследование свойств пленок и ФЭП на их основе.

Для достижения цели работы требуется решить основные задачи:

1. Разработка технологии формирования пленок нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллическими включениями (i-pm-Si:H) и исследование их состава, структуры и фотоэлектрических свойств.

2. Разработка технологии получения качественных и однородных по свойствам тонких нелегированных пленок микрокристаллического кремния (i-µc-Si:H) на подложках большой площади и комплексное исследование их свойств.

3. Формирование однокаскадных ТСЭ и двухкаскадных ТСМ разной площади и исследование влияния технологических режимов на их характеристики.

Объект исследований. Тонкие нелегированные пленки аморфного, полиморфного и микрокристаллического гидрогенизированного кремния и ТСЭ, а также ТСМ разной площади на их основе.

Методы изготовления и исследования. Все образцы пленок a-Si:H и cSi:H были получены на установке плазмохимического осаждения из газовой фазы KAI1-1200 (KAI), установленной в ООО «НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе» (ООО «НТЦ ТПТ»). Для исследования полученных пленок использовались следующие методы: спектральная эллипсометрия, ИК-Фурье спектроскопия, ИК-Фурье спектроскопия фототока и спектроскопия комбинационного рассеяния. Исследования пленок методом электронной микроскопии были проведены в ФТИ им. А.Ф. Иоффе.





Фотоэлектрические измерения пленок i-a-Si:H и i-pm-Si:H проводились на кафедре квантовой электроники и оптико-электронных приборов СПбГЭТУ «ЛЭТИ».

С использованием пленок i-a-Si:H и i-µc-Si:H изготавливались однокаскадные ТСЭ и двухкаскадные ТСМ разного размера. Изготовление ТСЭ и ТСМ, а также их характеризация, производились в ООО «НТЦ ТПТ». Определение параметров ФЭП осуществлялось по результатам исследования вольт-амперных характеристик (ВАХ) и спектральных зависимостей квантовой эффективности. Для анализа стабильности ФЭП образцы подвергались испытаниям на деградацию при освещении AM1.5 в течение 1000 часов и температуре 60 °С.

Научная новизна работы состоит в том, что:

1. Впервые были получены пленки аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллическими включениями, которые характеризуются повышенной концентрацией водорода и наличием неоднородного распределения нанокристаллических включений по толщине, концентрация которых уменьшается от подложки к свободной поверхности;

2. Все научные положения, сформулированные в работе, отличаются научной новизной;

3. Оригинальность решений и их новизна подтверждены наличием патента

РФ на полезную модель №127516 «Тонкопленочный солнечный элемент» (опубл.:

27.04.2013. Бюл. № 12), а также заявкой №2013116584 от 12.04.2013 на патент РФ «Тонкопленочный солнечный элемент», которая, пройдя первичную экспертизу, в настоящее время проходит экспертизу по существу.

Достоверность полученных результатов обоснована сравнительным анализом экспериментальных данных, полученных с помощью широкого спектра современных методик исследования, контролем условий эксперимента, взаимосвязью и логической последовательностью полученных экспериментальных результатов, обоснованностью их интерпретации, а также использованием современных литературных источников.

Практическая значимость полученных в работе результатов заключается в следующем:

1. Разработана технология получения нелегированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния, содержащих нанокристаллические включения, обладающих повышенной фоточувствительностью и стабильностью.

2. Продемонстрирована возможность получения нелегированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллическими включениями, с различной оптической шириной запрещенной зоны.

3. Экспериментально установлено, что использование буферного слоя между p- и i-слоями позволяет создавать однокаскадные ТСЭ, обладающие повышенной эффективностью, на основе нелегированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния (i-a-Si:H).

4. С использованием полученных пленок i-c-Si:H созданы двухкаскадные фотоэлектрические модули разной площади, обладающие повышенной эффективностью и стабильностью.

5. Впервые в России получены двухкаскадные ТСМ на основе аморфного и микрокристаллического кремния большой площади 1,43 м2 с начальной эффективностью 10,6%.

6. Результаты диссертационной работы внедрены в ООО «НТЦ ТПТ», а также в учебный процесс в СПБГЭТУ, где используются в лекциях и при проведении лабораторных работ по дисциплине «Технологические основы формирования тонкопленочных солнечных модулей», что подтверждено соответствующими актами.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Управление долей нанокристаллических включений в пленках a-Si:H достигается за счет формирования подслоя кремния толщиной 2-3 нм в условиях высокого разбавления силана водородом (например, при 220 кратном отношении потока водорода к потоку силана), а также изменением давления в ростовой камере.

2. Появление максимумов в спектрах фотопроводимости нелегированных пленок a-Si:H, полученных при высокой степени разбавления силана водородом и содержащих нанокристаллические включения, обусловлено неоднородным распределением водорода по объему пленок a-Si:H, а также наличием высокой концентрации нанокристаллической фазы вблизи границы с подложкой.

3. Формирование нелегированного слоя c-Si:H второго каскада двухкаскадного фотоэлектрического преобразователя с долей микрокристаллической фазы равной 53%, обеспечивает увеличение значений напряжения холостого хода и фактора заполнения, а также улучшение их однородности по площади подложки, что приводит к повышению эффективности преобразования солнечного модуля большой площади на 0,5%.

4. Уменьшение доли кристаллической фазы в пленке i-µc-Si способствует повышению степени пассивации границ микрокристаллитов аморфной фазой кремния и снижению плотности дефектов, что приводит к уменьшению деградации двухкаскадных тонкопленочных солнечных минимодулей.

Реализация результатов работы. Результаты диссертационной работы внедрены в ООО «НТЦ ТПТ», а также использованы в учебном процессе при проведении лабораторных работ по дисциплине «Технологические основы формирования тонкопленочных солнечных модулей большой площади», что подтверждено актами о практическом использовании.

Апробация результатов работы. Основные результаты докладывались и обсуждались на следующих конференциях, симпозиумах и школах: Всероссийской научной молодежной школе «Физика и технология микро- и наносистем» (СанктПетербург, 24-25 ноября 2011 г.), V Всероссийской школе-семинаре студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур» (Рязань, 2012 г.), Международных научных конференциях «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2-5 июля 2012 года и 7-10 июля 2014 г.), 8-й Всероссийской научно-технической конференции «Информационные технологии в электротехнике и энергетике» (7-9 июня 2012 года, Чебоксары), XIII Санкт-Петербургской международной конференции «Региональная информатика» (Санкт-Петербург, 24-26 октября 2012 г.), X Всероссийской научно-технической конференции «Динамика нелинейных дискретных электротехнических и электронных систем» (Чебоксары, 19-20 июля 2013 г.), Российской конференции «Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики» (Санкт-Петербург, 11-14 ноября 2013 г.), X Международной конференции «Физико-химические проблемы возобновляемой энергетики»

(Черноголовка, 30 июня - 2 июля 2014 г.), Международной конференции «Возобновляемая энергетика. Прикладные аспекты разработки и практического использования» (Черноголовка, 30 июня - 2 июля 2014 г.), Международной конференции «Возобновляемая энергетика. Прикладные аспекты разработки и практического использования» (Черноголовка, 30 июня – 2 июля 2014 г); I и II Всероссийских научных конференциях «Наноструктурированные материалы и преобразовательные устройства для солнечных элементов 3-го поколения»

(Чебоксары, 2013 и 2014 гг.); ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (2012-2014 гг.).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 21 печатной работе, из них 3 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК, патент и 17 работ в трудах, сборниках, а также в других изданиях международных, всероссийских и региональных конференций.

Личный вклад автора заключается в постановке задачи, поиске оптимальных режимов формирования образцов тонких пленок кремния, исследовании их свойств с использованием современных диагностических методов (ИК-Фурье спектроскопии и эллипсометрии, оптической спектроскопии и др.), а также формировании на их основе ФЭП разного размера. Автор активно участвовал в обсуждении и анализе полученных результатов, а также в написании статей и тезисов докладов, подготовке заявок на патенты.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, содержащего 142 наименования.

Работа изложена на 149 страницах машинописного текста, включая 58 рисунков и 21 таблицу.

ГЛАВА 1. ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГЕТИКА

В конце XIX века после начала промышленной революции ученые, инженеры и изобретатели стали задумываться об альтернативах угольному топливу и биомассе, вклад которых к началу XX века составлял почти 100% от мирового потребления энергоресурсов. Освоение технологии нефти и газодобычи в XX веке стало приводить к постепенному снижению вкладов твердого топлива в мировой энергетический баланс, и к началу 70-х годов прошлого века нефть стала основным энергоресурсом с вкладом в энергетический баланс 47% [1]. Растущая вера в то, что нефть и уголь были ограниченными ресурсами, которые рано или поздно могли закончиться и тем самым привести к глобальному мировому кризису, принуждала многие страны задуматься о развитии альтернативных источников энергии. В итоге энергетический кризис 70-х годов дал толчок к пересмотру энергетических стратегий многих стран. Стало ясно, что нефть не может быть надежной долговременной основой развития мировой энергетики и необходимо диверсифицировать используемые первичные источники энергии. Начавшееся бурное развитие атомной энергетики в мире резко замедлилось в связи с Чернобыльской катастрофой в 1986 году. Отметим, что трагедии, похожие на эту, случаются и по сей день. В 2011 году произошел взрыв атомного реактора на АЭС Фукусима-1 в Японии. Все это накладывает тень на будущее атомной энергетики.

Наряду с энергетическими проблемами, в мире стала нарастать озабоченность уровнем воздействия человека на окружающую среду. В 1992 году на рамочной конференции ООН об изменениях климата (РКИК) было признано существование проблемы изменения климата, являющейся в значительной мере результатом антропогенной деятельности человека. Во многих странах начались активные исследования и разработки по поиску новых, более экологически безопасных источников энергии, которые минимально влияют на количество выбросов CO2. К таким источникам относятся возобновляемые источники энергии (ВИЭ), в частности, солнечная энергетика.

История современной солнечной энергетики уходит к середине XIX века.

Годом заложения физических основ фотовольтаики можно считать открытие А.Е.

Беккерелем фотовольтаического эффекта в 1839 году. Лишь в 1954 году Д. Чаплин и другие объявили о создании первой пригодной к использованию фотопреобразовательной ячейки на основе пластин кристаллического кремния с эффективностью преобразования равной 6% [2].

На сегодняшний день фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии является одним из наиболее перспективных направлений возобновляемой энергетики. В большинстве развитых стран приняты законы по государственной поддержке возобновляемой энергетики, способствующие значительному увеличению мощностей солнечных парков. Такие страны, как Германия, Япония, США стали лидерами по количеству различных видов инсталляций от частного использования на крышах домов, до больших солнечных парков, достигших мощности в 100 МВт [3]. В 2012 г. в мире было установлено солнечных парков суммарной мощностью более 31 ГВт при общей мощности установленных к 2013 году более 102 ГВт и ожидаемой к 2020 году - 400-500 ГВт [4].

Существует три основных направления развития фотоэлектрических преобразователей (ФЭП): кремниевое, концентраторное и тонкопленочное. Во многом из-за уже имеющейся хорошо отработанной технологии получения высококачественных слитков кремния, используемых для микроэлектронной промышленности, лидирующую позицию на рынке фотоэлектрических преобразователей заняла технология, основанная на использовании подложек из моно- или поликристаллического кремния с большим размером зерен.

Кристаллический кремний является непрямозонным полупроводниковым материалом с шириной запрещенной зоны 1,1 эВ и обладает низким коэффициентом оптического поглощения ( 100 cm1 при EEg). В связи с этим для полного поглощения солнечного света необходимо использовать подложки толщиной более 100 мкм. За годы совершенствования структуры ФЭП на основе кристаллического кремния прошла путь от простого p-n перехода к гораздо более совершенным устройствам с пассивацией поверхности кристаллического кремния аморфным кремнием для уменьшения поверхностной рекомбинации, с использованием текстурированной поверхности кремниевой подложки для увеличения эффективного оптического пути света и с нанесенными различными антиотражающими покрытиями и т.д. На сегодняшний день эффективность солнечных батарей на основе монокристаллического и поликристаллического кремния достигла 25% [5] и 20,4% [6], соответственно. Объемы установленных энергетических мощностей на основе данных ФЭП превышают 90%. Недостатком кремниевых ФЭП по-прежнему является относительно высокая цена и температурный коэффициент.

Лидерами по эффективности преобразования солнечной энергии в мире являются ФЭП на основе гетеропереходов с концентрированием солнечного излучения. Такие структуры имеют эффективность более 37% [4].

Концентрирование солнечного излучения подразумевает систему слежения за положением солнца, что делает такие системы более дорогими.

Несмотря на доминирующую роль технологии кристаллического и поликристаллического кремния на рынке фотовольтаики и рекордно высокую эффективность фотопреобразователей концентраторного типа, в последнее десятилетие все большее распространение получают технологии производства солнечных элементов на основе тонких пленок различных полупроводниковых материалов К наиболее развитым технологиям изготовления [7].

полупроводниковых тонкопленочных ФЭП на сегодняшний день можно отнести:

ФЭП на основе аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si) [8–10] и его производные (двухкаскадные и трехкаскадные ФЭП на основе аморфного и микрокристаллического кремния [11], а также на основе сплавов аморфного и микрокристаллического кремния a-SiGe, c-SiGe, a-SiOx и др. [12]), телурида кадмия (CdTe) [13], диселенида меди и индия (CIGS – copper indium gallium (di) selenide) [14], а также многопереходных солнечных элементов на основе соединений 3-ей и 5-ой группы (A3B5) – GaAs, GaInP, GaInAs и т.д. [15]. В последнее время распространение получает технология производства тонкопленочных фотопреобразовательных элементов на основе кестерита Cu2ZnSnS4 (CZTS) [16].

Бурное развитие технологии ФЭП на основе тонких пленок связано с меньшим расходом дорогостоящих полупроводниковых материалов при их изготовлении и меньшими энергозатратами, так как используются в основном низкотемпературные процессы, а также возможностью использования подложек большой площади из разного материала, в том числе гибких металлических или пластиковых.

Кремниевые тонкопленочные фотоэлектрические преобразователи 1.1

В зависимости от особенности использования ФЭП, изготавливается либо p-i-n, либо n-i-p структура. Обе структуры представлены на рисунке 1.1. Структура, нанесенная на прозрачную подложку обычно имеет p-i-n конфигурацию. Слои осаждаются в обратной последовательности от верхних (фронтальных) к нижним (тыльным). Осаждение начинается с прозрачного проводящего слоя (обычно используется прозрачный проводящий оксид - ППО), затем осаждается p-i-n структура, задний контакт и фотоотражающий слой. При такой конфигурации важно, чтобы слой ППО был химически стабильным в ходе осаждения фотоэлектрического элемента. В случае n-i-p структуры, солнечные батареи изготавливаются начиная с тыльного слоя, как правило, это задний отражатель, и заканчивая фронтальным слоем ППО. Свет в n-i-p структуру заводится с тыльной стороны, поэтому подложка может быть непрозрачной, например из нержавеющей стали [17].

Далее в работе будет рассматриваться только ФЭП на основе p-i-n последовательности нанесения.

P-i-n переход ФЭП имеет как минимум три слоя:

p-, i-, n-слои. Данные слои очень тонкие и имеют типичные толщины: для p-слоя 10-20 нм; для i-слоя - 100-500 нм; для n-слоя - 10-30 нм. В p-i-n структуре образуется встроенное поле, которое обычно больше, чем 104 В/см. Солнечный свет в виде фотонов с различными энергиями проходит через более широкозонный p-легированный слой и поглощается в нелегированном i-слое. Сгенерированные электрон-дырочные пары растаскиваются встроенным полем: электроны - к pслою, а дырки - к n- слою, тем самым образуя ток в короткозамкнутой цепи.



Однопереходные ФЭП бывают на основе аморфного или микрокристаллического кремния. Двухкаскадные ФЭП могут быть на основе двух переходов аморфного кремния, аморфного и микрокристаллического кремния, аморфного кремния и SiGe сплава.

а б Рисунок 1.1 - ФЭП на основе одного p-i-n (а) и двух p-i-n переходов (б) [18] На рисунке 1.2 представлены экспериментальные результаты для вырабатываемой мощности и напряжения холостого хода Uxx для серии тонкопленочных солнечных элементов (ТСМ) на основе a-Si:H с различной толщиной i-слоя. Из данного рисунка видно, что Uxx почти не зависит от толщины i-слоя и имеет максимум мощности при достаточно тонком i-слое, равном 200-300 нм. Из-за низкой подвижности носителей заряда в a-Si:H, увеличение толщины больше данного значения ведет к снижению фактора заполнения (FF), а, следовательно, и вырабатываемой мощности. В теоретической работе [19] было показано, что: Uxx не зависит от толщины i-слоя; Uxx увеличивается с увеличением ширины запрещенной зоны; Uxx уменьшается с увеличением температуры осаждения.

Рисунок 1.2 - Зависимость мощности (кружки) и напряжения холостого хода (квадраты) от толщины i-слоя аморфного кремния в составе СЭ [18]

–  –  –

1.2 Технология изготовления двухкаскадных тонкопленочных солнечных модулей на основе аморфного и микрокристаллического кремния размером 1100х1300 мм Двухкаскадный тонкопленочный солнечный модуль большой площади на основе аморфного и микрокристаллического кремния состоит из двух последовательно соединенных p-i-n переходов. Первый p-i-n переход на основе аморфного, второй на основе микрокристаллического кремния. Протекание тока между данными p-i-n переходами обеспечивается рекомбинационным n-p переходом (туннельный диод), о котором упоминалось выше. Использование конфигурации вместо классического перехода обусловлено p-i-n p-n особенностями используемых фотоактивных материалов – аморфного и микрокристаллического кремния. Для этих материалов характерно наличие большого количества структурных дефектов, которые выступают в роли ловушек для электронов и дырок, наличие которых, в свою очередь, уменьшает длину диффузии носителей заряда. В отличие от классических кристаллических полупроводников с большими значениями длины диффузии, в которых перенос заряда в p-n структуре осуществляется диффузией носителей в области p-n перехода, малая диффузионная длина носителей заряда в аморфном кремнии приводит к невозможности использования данной схемы. Чтобы обойти это фундаментальное ограничение, используется p-i-n переход, в который между легированными слоями добавляется нелегированный i-слой. Именно в i-слое происходит полезное поглощение света и разделение зарядов, перенос заряда осуществляется дрейфовым механизмом. Дрейфовая длина зависит от величины электрического поля, которая, в свою очередь, определяется параметрами структуры: толщиной i-слоя, степенью легирования p- и n-слоев, оптической шириной запрещенной зоны (Eg) материалов, качеством материала осаждаемых слоев, то есть параметрами технологического процесса осаждения p-i-n структуры [21].

Использование двухкаскадной схемы позволяет повысить эффективность ФЭП за счет увеличения спектральной чувствительности ФЭП, путем использования в качестве поглотителей света материалов с разной шириной запрещенной зоны, а также за счет уменьшения потерь на термализацию фотоносителей. Говоря о двухпереходных ФЭП, материалы, используемые для верхнего и нижнего каскадов (аморфный и микрокристаллический кремний, соответственно) обладают близкими к оптимальным значениями величины запрещенной зоны [36]: 1,75 эВ для верхнего перехода и 1,1 эВ для нижнего перехода. Таким образом, верхний каскад поглощает свет в синей и зеленой части оптического спектра, пропуская свет красного и ближнего ИК-диапазона, который поглощается в нижнем каскаде. Кривые поглощения аморфного и микрокристаллического кремния приведены на рисунке 1.3.

Помимо фотоактивных слоев конструкция микроморфных ФЭП подразумевает использование прозрачных проводящих оксидных слоев в качестве лицевого и тыльного токосъемных контактов. В наиболее эффективных микроморфных ФЭП в качестве материала прозрачного проводящего контакта используется поликристаллический оксид цинка, легированный бором (ZnO:B), осаждаемый методом химического осаждения из газовой фазы при пониженном давлении.

Конструкция самой тонкопленочной структуры изображена на рисунке 1.4.

На лицевое стекло последовательно нанесены следующие слои: ZnO – лицевой прозрачный контакт; p-a-SiхC1-х:H – p эмиттер первого перехода; i-a-Si:H –

–  –  –

Рисунок 1.3 - Спектр оптического поглощения a-Si:H, c-Si:H и c-Si [36] Рисунок 1.

4 - Последовательность полупроводниковых слоев в тонкопленочном фотопреобразователе тандемного типа поглощающий слой первого перехода (1,75 эВ); n-c-Si:H – n эмиттер первого перехода и туннельного диода; p-c-Si:H - p эмиттер второго перехода и туннельного диода; i-c-Si:H – поглощающий слой второго перехода (1,1 эВ);

n-c-Si:H - n эмиттер второго перехода; ZnO – тыльный контакт; слой серебросодержащей пасты в местах присоединения продольных шин.

Для обеспечения разделения фотоэлектрической структуры модуля на отдельные ячейки и их последовательного электрического соединения используется процедура поочередного лазерного скрайбирования – удаления материалов осажденных слоев лазерным лучом в результате абляции с формированием изолирующих канавок. Путем реализации последовательности операций, представленных на рисунке 1.5, осуществляется монолитное электрическое соединение отдельных ячеек в составе модуля. Применяя различные схемы скрайбирования, можно менять выходные параметры изготавливаемых модулей: тока и напряжения в рабочей точке.

Процесс изготовления ТСМ начинается с отмывки лицевой стеклянной подложки. Отмывка осуществляется с помощью щелочных растворов (см. рисунок

1.5а). После отмывки на стеклянную подложку наносится слой прозрачного проводящего оксида (см. рисунок 1.5б). К данному материалу предъявляются требования по обеспечению требуемой проводимости, прозрачности, коэффициента диффузного рассеяния и совместимости технологии формирования активных полупроводниковых слоев. Другим требованием является распространенность всех компонентов, из которых состоит материал. В связи с этим использование слоев оксида индия олова (ITO), содержащего индий, запасы которого в мире сильно ограничены, является экономически нецелесообразным.

Поэтому в качестве прозрачного проводящего электрода использовались слои оксида цинка ZnO, легированные бором. Этот материал, по сравнению с оксидом олова SnO2, позволяет существенно сократить оптические потери в области 550нм. Нанесение слоя ZnO производится методом газофазного осаждения низкого давления. Формирование пленок ZnO производится на установке химического осаждения при низком давлении (LPCVD) с использованием металлорганического соединения

–  –  –

Рисунок 1.5 - Схематическое поэтапное изображение процесса формирования ТСМ источника цинка – диэтилцинка (Zn(C2H5)2 ДЭЦ).

В качестве источника легирующей примеси использовался диборан (B2H6). Данная технология позволяет обеспечить наилучшие показатели по прозрачности и однородности слоев на большой площади (1,43 м2). По сравнению с технологией магнетронного распыления, данная технология обеспечивает более высокие скорости роста, что повышает производительность процесса. Также выбранная технология позволяет получать пленки ZnO с различным рельефом поверхности, что в свою очередь дает возможность усилить захват светового потока в тонких фотоактивных полупроводниковых слоях.

После процесса нанесения слоя ZnO производится первый этап лазерной абляции (скрайбирование, см. рисунок 1.5в). На этом этапе происходит разделение сплошного слоя ZnO на отдельные электрически изолированные контакты. После процесса резки происходит промежуточная отмывка стекла с нанесенным слоем ZnO перед осаждением активных полупроводниковых слоев. Данная операция необходима для удаления продуктов взаимодействия лазерного излучения с ZnO и стеклом, а также удаления возникшего загрязнения подложки на этапах перемещения. Любые неудаленные загрязнения подложки на этом этапе могут привести к локальному «закорачиванию» структур и, следовательно, значительному ухудшению их характеристик.

Следующий этап – нанесение полупроводниковых слоев аморфного и микрокристаллического гидрогенизированного кремния двухкаскадного ФЭП (см.

рисунок 1.5г).

Нанесение осуществляется методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (ПХО). Данный метод, по сравнению с методом магнетронного распыления, позволяет получать пленки, обладающие значительно лучшим качеством. В сравнении с методом «горячей нити», метод ПХО обладает преимуществами, заключающимися в возможности получать высококачественные слои как a-Si:H, так и c-Si:H и сплавов на их основе, как собственные, так и легированные. При этом осаждение пленок кремния возможно на большие подложки.

Сначала происходит формирование очень тонкого (5-10 нм) слоя аморфного гидрогенизированного кремния p-типа проводимости, легированного бором.

Осаждение слоев происходит из газовой смеси силана (SiH4) и водорода. В качестве источника бора использовался триметилбор (B(CH3)3 ТМБ). Выбор ТМБ обусловлен меньшей токсичностью этого соединения по сравнению с дибораном.

Имеющийся в ТМБ углерод встраивается в матрицу аморфного кремния, что приводит к увеличению оптической ширины запрещенной зоны в твердом растворе a-SixС1-x:H. Данный факт положительно влияет на характеристики фотопреобразователей, так как при этом уменьшается поглощение в этой легированной области, обладающей повышенной дефектностью, и, следовательно, уменьшаются потери. Концентрации углерода, встраиваемого из ТМБ в растущую пленку, недостаточно для оптимального увеличения оптической ширины запрещенной зоны, что приводит к необходимости введения дополнительного источника углерода – метана (CH4). Известно, что увеличение концентрации углерода в твердых растворах a-SixС1-x:H приводит к возрастанию концентрации оборванных связей (дефектов). Для снижения концентрации оборванных связей в пленках легированных слоев p-a-SixС1-x:H используется увеличенный поток водорода.

Далее происходит осаждение нелегированного слоя i-a-Si:H толщиной около 200 нм. Осаждение слоев происходит из газовой смеси силана (SiH4) и водорода.

Следующим осаждается очень тонкий слой (5-10 нм) аморфного гидрогенизированного кремния n-типа проводимости, легированного фосфором. В качестве источника легирующей примеси слоев типа проводимости nиспользуется фосфин (PH3).

Для обеспечения требуемых характеристик туннельного диода на границе между двумя переходами, n-область верхнего состоит из двух слоев. В качестве второго слоя используется легированный фосфором n-c-Si:H. Для формирования микрокристаллического кремния необходимо увеличенное содержание водорода в ростовой камере. Процесс формирования туннельного диода завершается осаждением слоя c-Si:H, легированного бором. В качестве источника легирующей примеси используется триметилбор (ТМБ). Данный слой также играет роль эмиттера нижнего перехода. На следующем этапе происходит осаждение слоя нелегированного i-c-Si:H из смеси силана и водорода в условиях сильного разбавления силана водородом. Завершается процесс осаждения полупроводниковых слоев нанесением слоя n-c-Si:H, легированного фосфором.

Далее стекло с нанесенными полупроводниковыми слоями транспортируется к установке лазерной абляции. В местах разделения структур полупроводниковый слой удаляется (см. рисунок 1.5д).

На следующем этапе происходит нанесение слоя ZnO, который служит в данном случае нижним электрическим контактом (см. рисунок 1.5е). Процесс нанесения нижнего слоя ZnO аналогичен процессу нанесения верхнего слоя ZnO.

После нанесения слоя ZnO, стеклянная подложка транспортируется на установку лазерной абляции, где происходит удаление части слоя ZnO в местах разделения фотопреобразовательных структур (см. рисунок 1.5ж).

Таким образом, происходит формирование ряда последовательно соединенных фотопреобразователей. При этом фотоактивная область находится в зоне между удаленным полупроводниковым слоем и удаленным слоем фронтального ZnO, нанесенного на стекло (см. рисунок 1.5з). В фотоактивной области полупроводниковые слои с двух сторон ограничены контактными слоями ZnO. Оставшаяся область ТСЭ не является фотоактивной и ее размер в латеральном направлении ограничивается разрешающей способностью установки лазерной абляции. Изображение сечения двухкаскадного тонкопленочного солнечного элемента, полученное с помощью растровой электронной микроскопии, представлено на рисунке 1.6. На данном рисунке видно, что фронтальный слой ZnO задает сильно развитый рельеф поверхности – текстуру, что позволяет значительно увеличить число поглощенных фотонов в полупроводниковых слоях.

Таким образом, выше был описан полный цикл осаждения всех полупроводниковых слоев и формирования из них узких, но длинных двухкаскадных фотоэлектрических ячеек. Затем происходит так называемая финишная сборка модуля, которая включает в себя лазерную изоляцию краев, нанесение продольных и поперечных контактных шин, ламинирование при 180 °С и установку коммутационной коробки. Остановимся подробно на нанесении контактных шин.

Рисунок 1.6 - Фотография сечения двухкаскадного тонкопленочного солнечного элемента на основе a-Si:H и c-Si:H, полученная с помощью растровой электронной микроскопии [37] Для уменьшения омических потерь по всей длине фотопреобразователей проложены четыре продольные контактные шины, которые соединяются между собой поперечными контактными шинами, образуя три параллельные группы последовательно соединенных фотопреобразователей.

Схематическое изображение топологии контактных шин и соединения групп преобразователей представлены на рисунке 1.7.

Для обеспечения последовательного соединения фотопреобразователей в пределах одной группы, используется специальная топология фронтального и тыльного контактных слоев, а также полупроводниковой структуры.

Тонкопленочная структура находится между двумя слоями прозрачного проводящего оксида (ZnO), играющего роль лицевого и тыльного контактов.

–  –  –

Рисунок 1.7 - Схематичное изображение топологии контактных шин тонкопленочного фотоэлектрического модуля тандемного типа.

На схеме также изображены группы последовательно соединенных фотопреобразователей в виде фотодиодов За счет сформированной топологии тыльный контакт фотопреобразовательной ячейки соединен с лицевым контактом предыдущей фотопреобразовательной ячейки, обеспечивая тем самым последовательное соединение ячеек фотопреобразовательных структур.

1.3 Технология получения аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллическими включениями; полиморфный и протокристаллический кремний Кристаллический кремний имеет хорошо изученную кубическую гранецентрированную структуру типа алмаз (тетраэдрическая структура) с минимальной длиной связи равной 0,23 нм (постоянная решетки 0,543 нм) и углом между связями 109,5°. Аморфная структура может иметь незначительное изменение длины связи (±10%) и угла между связями (±5%). Это незначительное изменение параметров кристаллической решетки структуры делает возможным сохранение ближнего порядка на расстоянии 2-3 ближайших соседей. Однако прогрессия небольших отклонений на большие расстояния (10 атомов) ведет к образованию оборванных связей. Концентрация таких дефектов в аморфном кремнии, осажденном в тлеющем разряде, может достигать 1020 см-3 [38,39].

Учитывая, что количество атомов в кремнии ~ 5*1023 см-3, то на каждый тысячный атом кремния приходится дефект в виде разорванной Si-Si связи. Разорванная связь образует локализованное состояние внутри щели подвижности. Разорванные связи можно запассивировать, например водородом. Атомы водорода, образуя Si-H связи, пассивируют оборванные связи, тем самым выводят локализованные состояния из запрещенной зоны. Атомы водорода, встроенные в пленку, насыщают ковалентные связи у дефектов и микропор, а также позволяют снять некоторое напряжение с решетки. Пассивация оборванных связей аморфного кремния водородом позволяет снизить количество оборванных связей до 1016 см-3 [40].

Однако, Стеблер и Вронский в 1977 году показали, что под воздействием облучения в a-Si:H могут образовываться дефекты вследствие разрыва слабых связей Si-Si. Данный эффект называют эффектом Стеблера-Вронского, а дефекты, образованные под воздействием света - фотоиндуцированными дефектами.

Образование оборванных связей является главной причиной деградации оптических и электронных свойств a-Si:H [41,42].

Водород может встраиваться в пленку различным образом: в качестве изолированных связей Si-H, в качестве Si-H H-Si связей, расположенных рядом, которые образовались вследствие разрыва слабой Si-Si связи, а также в качестве образования так называемых водородных кластеров (где Si-H, Si-H2 и Si-H H-Si группа находятся вместе). Последний случай встречается в основном на поверхности пор (пустого пространства) различного размера. Согласно экспериментальным исследованиям, довольно простым путем для определения качества микроструктуры a-Si-H, является сопоставление колебательных мод ИК поглощения. Считается, что мода растяжения кремний-водородных связей вблизи 2090 см-1 связана в основном с поглощением ИК излучения на Si-H2 связях, встроенных в объеме пленки. В свою очередь, поглощение вблизи 2000 см-1 связано с моногидридными кремниевыми связями. Экспериментально было установлено, что по отношению интегральных интенсивностей дигидридных к моногидридным связям кремния, рассчитываемому по формуле R= I2090/(I2000+I2090), где I значение интеграла от поглощения вблизи 2090 и 2000 см-1, можно судить о степени деградации ФЭП на основе данного материала [43,44].

Рассмотрим механизмы роста аморфного и микрокристаллического кремния в тлеющем разряде. Процесс осаждения в плазме можно рассмотреть в виде как минимум трех стадий: образования радикалов в плазме, их реакции на поверхности растущей пленки и преобразования поверхностного слоя в объемную пленку. В работе [45] рассматривается модель поверхностной абсорбции. Поверхность растущей пленки почти полностью насыщается водородными связями, но это справедливо только лишь при температурах осаждения меньше, чем 400 °С.

Концентрация водорода в приповерхностной области пленки равна 50-60%.

Однако объемная концентрация водорода в пленке a-Si-H обычно не превышает 15%. Авторы данной статьи утверждают, что выход водорода при формировании Si-Si матрицы является основным процессом для образования слабых Si-Si связей, а впоследствии и оборванных связей при низкотемпературном осаждении.

Радикалы, абсорбировавшись на поверхность растущей пленки, диффундируют по ней, перед тем как в нее встроиться. В основном при росте пленки аморфного кремния участвуют Si-H2 радикалы, так как они могут непосредственно встраиваться в Si-H или Si-Si связь. Процесс роста пленки через Si-H3 менее вероятен из-за меньшего коэффициента прилипания и наличия лишнего водорода.

Однако в работе [38] говорится, что a-Si:H, осажденный в условиях роста пленки посредством Si-H3 радикалов обладает меньшим количеством дефектов.

Происходит это, видимо, из-за того, что выход водорода из связи сопровождается локальным увеличением температуры, что наилучшим образом влияет на количество дефектов в пленке.

В работе [46] рассматриваются три основных модели для объяснения роли водорода при росте пленки микрокристаллического кремния: 1) модель поверхностной диффузии радикалов кремния; 2) модель травления водородом; 3) модель химического отжига. В данной работе было показано, что доля кристаллической фазы возрастает при увеличении разбавления водородом и снижении плотности мощности (см. рисунок 1.8а).

На рисунке 1.8б представлено соотношение между долей кристаллической фазы в пленках c-Si:H и температурой роста пленок при трех различных разбавлениях водородом. Для объяснения этих результатов была предложена модель поверхностной диффузии. Длина диффузии по покрытой водородом поверхности усиливается с увеличением температуры, что приводит к возрастанию объемной доли кристаллической фазы. Поверхностная диффузия радикалов нарушается не только под влиянием ионной бомбардировки поверхности растущей пленки, но и присутствием разорванных связей, появляющихся выше 400 °С (см.

рисунок 1.8б).

Модель травления была предложена на основе того экспериментального факта, что скорость роста пленки уменьшается при увеличении разбавления водородом [2]. Модель химического отжига, похожая на модель травления, была предложена для объяснения того, что образование кристаллов наблюдается при обработке в водородной плазме при чередовании процесса роста аморфной пленки и обработки в водородной плазме. Несколько монослоев аморфного кремния осаждаются, затем подвергаются бомбардировке атомами водорода в водородной плазме. Эти процессы повторяются поочередно в течение нескольких десятков раз для формирования нужной толщины, чтобы оценить структуру пленки. Отсутствие заметного уменьшения толщины пленки во время обработки в водородной плазме трудно объяснить моделью травления.

Поэтому была предложена новая модель – модель химического отжига. Во время обработки в водородной плазме множество атомов водорода проникает в приповерхностный слой, что приводит к кристаллизации аморфной структуры под подповерхностной областью без процесса удаления (травления) атомов Si.

Рассмотрим способы получения с нанокристаллическими

a-Si:H

включениями. Как уже было сказано, в наблюдается эффект

a-Si:H

фотоиндуцированной деградации. Стабильность данного материала может быть повышена в результате введения в аморфную матрицу кремния небольшой доли нанокристаллической фазы (3-5%) с размером несколько нанометров [47,48]. В литературных источниках аморфный кремний с нанокристаллическими включениями называется по-разному: наноструктурированный кремний, протокристаллический кремний (pc-Si:H) или полиморфный кремний (pm-Si:H).

Все три вида материала различаются способами осаждения в плазме тлеющего разряда.

–  –  –

В работе [49] были получены пленки наноструктурированного кремния, которые формируются методом циклического плазмохимического осаждения и отжига в водородной плазме нанослоев аморфного гидрогенизированного кремния и содержат включения нанокристаллического кремния. Данные пленки обладают улучшенной стабильностью и фоточувствительностью.

Протокристаллический кремний (pc-Si:H) берет свое название от слова прото

– первичный. В ходе роста пленки аморфного кремния образуются зародыши кристаллической фазы, которые в зависимости от условий осаждения могут разрастаться до определенного размера, затем заращиваться аморфной фазой. Рост пленки pc-Si:H происходит на границе роста микрокристаллического с аморфным кремнием, при высоком разбавлении водородом ~ 40 (см. рисунок 1.9). Из данного рисунка видно, что толщина pc-Si:H ограничена образованием зародышей микрокристаллической фазы и зависит от разбавления водородом. С ростом толщины пленки доля кристаллической фазы увеличивается. Учитывая то, что кристаллиты разрастаются конусообразной формой, то при достижении определенной толщины пленки, когда кристаллическая фаза значительно разрастается в латеральном направлении, пленка начинает расти микрокристаллической [47,50]. Поэтому, при данном подходе, распределение доли кристаллической фазы pc-Si:H может быть неоднородным по толщине - с большим ее значением со стороны свободной поверхности.

Пленки полиморфного гидрогенизированного кремния (pm-Si:H) получают в условиях полимеризации продуктов разложения силана. Нанокластеры, образовавшись непосредственно в плазме, затем осаждаются на поверхности растущей пленки и встраиваются в нее [51]. Содержание водорода в данных пленках полиморфного кремния больше, чем в типичном аморфном кремнии и равно 15-20% [52].

H Рисунок 1.9 – Схематично изображенная структура пленки кремния толщиной 500 нм как функция от разбавления силана водородом RH [50] Рассмотрим процессы, протекающие в плазме во время осаждения. Плазма представляет собой слабо ионизированный газ, в котором происходят упругие и неупругие взаимодействия между частицами и молекулами. Через упругие столкновения происходит обмен кинетической энергией между частицами (электрон) и молекулами (SiH4, H2). Чем больше таких соударений, тем шире распределение по энергиям частиц и ниже его максимум. Через неупругие взаимодействия происходит изменение внутренней энергии, процессы возбуждения, ионизации и т.д. Электрон имеет примерно в 2000 раз меньшую массу, чем, например, ион водорода. Это означает, что электрон в плазме набирает кинетическую энергию намного быстрее. Ускоренные электроны в плазме сталкиваются с молекулами силана, образуя их радикалы. Энергия электронов в плазме высокочастотного разряда равна 2-5 эВ. Этого достаточно, чтобы разрушить энергию связи молекулы силана (~3 эВ). Реакции столкновения электрона с молекулой силана или с ее радикалами называются первичными.

Первичные реакции преобладают при относительно низких давлениях (либо при относительно маленьком межэлектродном расстоянии). В области относительно высоких давлений (либо при относительно большом межэлектродном расстоянии).

преобладают вторичные реакции - столкновение радикалов и молекул силана между собой, что ведет к образованию дииланов, трисиланов, полимеров и их агломерации (см. рисунок 1.10).

Рисунок 1.10 - Схематическое изображение процесса полимеризации в плазме

Данный процесс находится на границе условий образования кремниевого порошка. Образовавшийся порошок кремния заряжается отрицательно и удерживается в объеме плазмы, поэтому он не вносит вклад в скорость роста пленки, а только замедляет ее, так как забирает на себя часть радикалов. По этой и другим причинам, агломерация кластеров кремния и образование порошка крайне нежелательна. Для получения полиморфного кремния необходимо создать такие условия, чтобы рост кластеров осуществлялся до определенного размера. После фазы роста нужно обеспечить транспорт нанокластеров в сторону поверхности растущей пленки. Чтобы получить рост кластеров в плазме, необходимо создать условия при повышенном давлении в ростовой камере и (или) уменьшенным межэлектродным расстоянием. Как правило, увеличивают только давление, потому что менять геометрию камеры обычно не представляется возможным. Рассмотрим некоторые способы доставки кластеров на фронт растущей пленки.



Pages:   || 2 | 3 | 4 | 5 |
Похожие работы:

«ТРАНСФОРМАТОРЫ СОДЕРЖАНИЕ 04 Номенклатура оборудования 05 Конструкция трансформаторов 06 Конструкция магнитопровода 08 Обмотка 10 Монтаж магнитопровода и катушки 12 Корпус (бак) трансформатора 13 Система охлаждения 14 Испытания 15 Научные исследования 16 Гарантии качества 18 Мировой опыт Трансформаторы HYUNDAI Electro Electric Systems - подразделение Завод Hyundai в Софии с его более компании Hyundai Heavy Industries - с чем пятидесятилетней историей момента своего образования и в...»

«Секция 2 УДК 628.903.01 Проектирование и разработка курса «Электротехника и основы электроники» на базе технологий электронного обучения e-learning Planning and development Electrical and Electronics Engineers course on the bases of e-learning technology Филимонова Оксана Викторовна, Filimonova Oksana Viktorovna Самарский государственный технический университет, Россия, Самара Samara State Technical University, Russia, Samara oksana201@rambler.ru 443010 г. Самара, ул. Молодогвардейская 103 -17...»

«4/2010 энергетическое и электротехническое оборудование, технологии ИндИвИдуальный подход к решенИю задач экологИИ И энергосбереженИя предпрИятИй Актуальность вопросов экологии и энергосбережения, вызывает рост интересов специалистов промышленных предприятий к источникам собственной энергии, в основном тепловой. К таким процессам относят утилизацию тепла технологичес­ ких процессов, технологических газов, жидких стоков, производственных отходов. Состояние оборудования и устаревшие технологии не...»

«ВЕСТНИК ГИУА. СЕРИЯ “ЭЛЕКТРОТЕХНИКА, ЭНЕРГЕТИКА”. 2012. Вып. 15, №1 _ УДК 551.508.91:62-52 Р.С. АСАТРЯН ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТРОЛОГИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ ЭКОЛОГИЧЕСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ Приводятся результаты научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по разработке комплекса оптико-электронных измерительных систем физикоэкологических параметров атмосферы и тепловых источников. Исследуются метрологические характеристики разработанных приборов. Ключевые слова:...»

«ВЕСТНИК ГИУА. СЕРИЯ “ЭЛЕКТРОТЕХНИКА, ЭНЕРГЕТИКА”. 2013. Вып. 16, №1 _ УДК 621.314 ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИИ И СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Н.Н. ПЕТРОСЯН, Г.С. КАРОЯН НАКОПИТЕЛИ ЭЛЕКТРОЭНЕРГИИ ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ УСТАНОВОК Исследуются электромагнитные процессы в схемах индуктивно-емкостных накопителей энергии. Определены законы управления зарядного тока, позволяющие получить наиболее оптимальные режимы и параметры преобразователей. Ключевые слова: индуктивно-емкостный преобразователь, накопительный...»

«Развитие диагностического обеспечения для оценки технического состояния высоковольтного маслонаполненного электротехнического оборудования Леонид Альбертович Дарьян Заместитель директора по аналитической и методологической работе, д.т.н. Москва 2015 год Реализованные проекты ЗАО «Техническая инспекция ЕЭС» по экспрессоценке технического состояния ВМЭО Разработка методик экспресс-оценки в рамках согласованных Минэнерго России работ по реализации проекта «Создание и внедрение системы контроля...»

«УДК: 517.1 К ОПРЕДЕЛЕНИЮ ЧИСЛА «E» В КУРСЕ МАТЕМАТИЧЕСКОГО АНАЛИЗА © 2010 А. М. Фрумкин канд. тех. наук, доцент каф. электротехники, электроники и автоматики, e-mail: frumkinam@mail.ru Курский государственный технический университет Статья посвящена варианту схемы определения числа «e», альтернативной по отношению к традиционным схемам определения. Число «е» определяется в процессе исследования дифференцируемости показательной функции. Ключевые слова: показательная функция, дифференцируемость,...»

«Терукова Екатерина Евгеньевна КАТАЛИТИЧЕСКИЕ И ГАЗОРАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНЫЕ СЛОИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИСТОЧНИКОВ ТОКА 05.27.06 – Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники АВТОРЕФЕРАТ на соискание ученой степени кандидата технических наук Санкт-Петербург 2011 Работа выполнена на кафедре Микрои наноэлектроники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина) Научный...»

«Главная электротехническая выставка в Украине! 22 25 апреля Украина, Киев XVIII международная выставка Индикатор отрасли ЭНЕРГЕТИКА, ЭЛЕКТРОТЕХНИКА, ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНОСТЬ Главная в Украине Статистика электротехническая выставка elcomUkraine 2013 На протяжении семнадцати лет выставка elcomUkraine ежегодно собирает 412 участников весь рынок, наглядно отражает состояние и основные тренды его развития, из 16 стран. помогает в решении насущных отраслевых проблем и бизнес задач участни ков и...»

«1 УТВЕРЖДЕН приказом Министерства труда и социальной защиты Российской Федерации от «» 2014 г. №_ ПРОФЕССИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ Работник по ремонту электротехнического оборудования гидроэлектростанций/гидроаккумулирующих электростанций Регистрационный номер Общие сведения I. Ремонт электротехнического оборудования ГЭС1/ГАЭС2 (наименование вида профессиональной деятельности) Код Основная цель вида профессиональной деятельности: Поддержание и восстановление исправности и/или работоспособности и...»

«Балашов Вадим Владимирович РАЗРАБОТКА АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ СИСТЕМЫ СИНТЕЗА ТОПОЛОГИИ СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫХ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Специальность 05.13.12 — Системы автоматизации проектирования (промышленность) Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата технических наук Санкт-Петербург 2013 Работа выполнена в федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный...»

«Андреев Валерий Сергеевич МАТЕМАТИЧЕСКОЕ И ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ СИСТЕМ АВТОМАТИЗАЦИИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЦИФРОВЫХ СИСТЕМ ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ Специальность: 05.13.12 Системы автоматизации проектирования (промышленность) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Санкт-Петербург 2013 Работа выполнена на кафедре систем автоматизированного проектирования федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального...»

«Амбросовский Виктор Михайлович ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ ОСНОВЫ БЕЗОПАСНОСТИ УПРАВЛЯЕМОГО ДВИЖЕНИЯ СКОРОСТНЫХ СУДОВ Специальность 05.13.01 – Системный анализ, управление и обработка информации (технические системы) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук Санкт-Петербург 2010 Работа выполнена в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете «ЛЭТИ» им.В.И.Ульянова (Ленина) Научный консультант: доктор технических наук,...»

«Бутусов Денис Николаевич АВТОМАТИЗАЦИЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ВСТРАИВАЕМЫХ СИСТЕМ Специальность: 05.13.12 Системы автоматизации проектирования (промышленность) АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Санкт-Петербург 2012 Работа выполнена на кафедре систем автоматизированного проектирования федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Санкт-Петербургский государственный...»

«ZPUE S.A.: финансовый, SWOT, конкурентный и отраслевой анализ компании Телефон: +7 (495) 9692718 Факс: +44 207 900 3970 office@marketpublishers.ru http://marketpublishers.ru Телефон: +7 (495) 9692718 http://marketpublishers.ru ZPUE S.A.: финансовый, SWOT, конкурентный и отраслевой анализ компании Дата: Февраль, 2016 Страниц: 50 Цена: US$ 499.00 Артикул: Z9FA7B4E50DRU В данном информационно-аналитическом отчете представлен подробный анализ деятельности компании ZPUE S.A., позволяющий оценить ее...»





Загрузка...


 
2016 www.os.x-pdf.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Научные публикации»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.